[发明专利]导电性凸块及化学镀Pt浴在审
| 申请号： | 201910634802.0 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110718523A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 前川拓摩;小田幸典;柴田利明;伊井义人;神崎翔 | 申请（专利权）人： | 上村工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11283 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘兵;戴香芸 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了可以防止凸块的基底导电层中使用的金属扩散至Au层表面或Ag层表面的凸块。本发明的导电性凸块为在基体上形成的导电性凸块，其中，所述凸块从基体侧依次至少具有基底导电层、Pd层、与所述Pd层直接接触的Pt层、以及Au层或者Ag层，所述凸块的直径为20μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 凸块 导电性凸块 基底导电层 金属扩散 | ||
【主权项】：
1.一种导电性凸块，其特征在于，其为形成在基体上的导电性凸块，/n其中，所述凸块从基体侧依次至少具有基底导电层、Pd层、与所述Pd层直接接触的Pt层、以及Au层或者Ag层，/n所述凸块的直径为20μm以下。/n
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