[发明专利]高分辨率Micro-OLED的制备方法以及显示模组在审
| 申请号： | 201910627273.1 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110364638A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;杨小龙;周文斌;张峰;孙剑;高裕弟 | 申请（专利权）人： | 昆山梦显电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人： | 路阳 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高分辨Micro‑OLED的制备方法以及应用该方法制成的显示模组，所述高分辨率Micro‑OLED的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备发光像素层；S2：采用薄膜封装技术，对所述发光像素层进行封装，形成薄膜封装层；S3：采用相移掩模版、光刻技术，在所述薄膜封装层上制备黑色矩阵层；S4：采用光刻技术，在所述薄膜封装层上制备彩色滤光层；S5：对所述黑色矩阵层和彩色滤光层进行盖板封装，以获得高分辨率Micro‑OLED。相较于现有技术，本发明高分辨率Micro‑OLED的制备方法通过相移掩模版提升相邻透光区、不透光区之间的对比度，从而提升了黑色矩阵层和彩色滤光层之间的对比度，进而可以制备出3000ppi的Micro‑OLED。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高分辨率 薄膜封装层 彩色滤光层 黑色矩阵层 衬底基板 发光像素 光刻技术 显示模组 掩模版 相移 封装 薄膜封装技术 不透光区 盖板 高分辨 透光区 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高分辨率Micro‑OLED的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备发光像素层；S2：采用薄膜封装技术，对所述发光像素层进行封装，形成薄膜封装层；S3：采用相移掩模版、光刻技术，在所述薄膜封装层制备黑色矩阵层；S4：采用光刻技术，在所述薄膜封装层制备彩色滤光层；S5：对所述黑色矩阵层和彩色滤光层进行盖板封装，以获得高分辨率Micro‑OLED。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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