[发明专利]高分辨率Micro-OLED的制备方法以及显示模组在审

专利信息
申请号: 201910627273.1 申请日: 2019-07-12
公开(公告)号: CN110364638A 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 杜晓松;杨小龙;周文斌;张峰;孙剑;高裕弟 申请(专利权)人: 昆山梦显电子科技有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 代理人: 路阳
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 制备 高分辨率 薄膜封装层 彩色滤光层 黑色矩阵层 衬底基板 发光像素 光刻技术 显示模组 掩模版 相移 封装 薄膜封装技术 不透光区 盖板 高分辨 透光区 应用
【权利要求书】:

1.一种高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1:提供一衬底基板,在所述衬底基板上制备发光像素层;

S2:采用薄膜封装技术,对所述发光像素层进行封装,形成薄膜封装层;

S3:采用相移掩模版、光刻技术,在所述薄膜封装层制备黑色矩阵层;

S4:采用光刻技术,在所述薄膜封装层制备彩色滤光层;

S5:对所述黑色矩阵层和彩色滤光层进行盖板封装,以获得高分辨率Micro-OLED。

2.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于,所述步骤S1具体包括如下步骤:

S11:提供一衬底基板,在所述衬底基板上制备若干规则排列的过孔;

S12:采用自对准工艺,在所述衬底基板上蒸镀阳极层,所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元;

S13:在所述阳极层的表面蒸镀OLED发光层;

S14:在所述OLED发光层的表面蒸镀阴极层,以形成所述发光像素层。

3.如权利要求2所述的高分辨Micro-OLED的制备方法,其特征在于:所述阳极单元的宽度为5微米。

4.如权利要求2所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于:所述OLED发光层为白光有机电致发光器件。

5.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于,所述步骤S4具体包括如下步骤:

S41:在所述薄膜封装层涂覆光刻胶,以形成光刻胶层;

S42:将紫外光通过相移掩模版对所述光刻胶层进行照射,以实现对所述光刻胶层曝光;

S43:对曝光后的光刻胶层进行显影、刻蚀;

S44:除去多余的光刻胶。

6.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于:所述相移掩模版包括设置有设计图形的金属遮挡层以及用于改变光线相位的相移层。

7.如权利要求6所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于:所述金属遮挡层为铬。

8.如权利要求6所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于:所述相移层使得通过其的光线相位改变180度。

9.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法,其特征在于:所述彩色滤光层包括若干彩色滤光片,相邻彩色滤光片之间的距离为8微米。

10.一种高分辨率Micro-OLED显示模组,包括高分辨率Micro-OLED层以及与高分辨率Micro-OLED层电性连接的薄膜晶体管阵列,其特征在于:所述高分辨率Micro-OLED层采用权利要求1~9中任意一项所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法制成。

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