[发明专利]高分辨率Micro-OLED的制备方法以及显示模组

说明书

本发明提供了一种高分辨Micro‑OLED的制备方法以及应用该方法制成的显示模组，所述高分辨率Micro‑OLED的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备发光像素层；S2：采用薄膜封装技术，对所述发光像素层进行封装，形成薄膜封装层；S3：采用相移掩模版、光刻技术，在所述薄膜封装层上制备黑色矩阵层；S4：采用光刻技术，在所述薄膜封装层上制备彩色滤光层；S5：对所述黑色矩阵层和彩色滤光层进行盖板封装，以获得高分辨率Micro‑OLED。相较于现有技术，本发明高分辨率Micro‑OLED的制备方法通过相移掩模版提升相邻透光区、不透光区之间的对比度，从而提升了黑色矩阵层和彩色滤光层之间的对比度，进而可以制备出3000ppi的Micro‑OLED。

技术领域

本发明涉及OLED显示器制造领域，尤其涉及一种高分辨率Micro-OLED的制备方法以及具有该高分辨率Micro-OLED的显示模组。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器与CTR(CathodeRay Tube，阴极射线管)显示器、TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)相比具有更轻和更薄的外观设计、更宽的可视视角、更快的响应速度以及更低的功耗等特点，因此OLED显示器已逐渐作为下一代显示设备而备受人们的关注。

现有技术的OLED显示器中的Micro-OLED组件通常是采用金属掩模(Fine MetalMask，精细金属掩模)制成。掩模版的图案与欲形成的功能层的图案相对应。掩模版包括透光区和不透光区。在透光区，光线可以全部透过以进行曝光，从而将此区的光刻胶全部去除；不透光区的光刻胶保留，经过刻蚀后，即可得到功能层的相应图案。然而，掩模版的图案尺寸都比较小，在光线的衍射作用下，衍射光线照射到不透光区的边缘位置处，从而使得相邻的透光区、不透光区之间的对比度较低，进而无法按照设计的尺寸得到相应的图案。

鉴于上述问题，有必要提供一种新的高分辨率Micro-OLED的制备方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高分辨率Micro-OLED的制备方法，该高分辨率Micro-OLED的制备方法通过相移掩模版提升了相邻透光区、不透光区之间的对比度，从而可以制备出3000ppi的Micro-OLED。

为实现上述目的，本发明提供了一种高分辨率Micro-OLED的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备发光像素层；S2：采用薄膜封装技术，对所述发光像素层进行封装，形成薄膜封装层；S3：采用相移掩模版、光刻技术，在所述薄膜封装层制备黑色矩阵层；S4：采用光刻技术，在所述薄膜封装层制备彩色滤光层；S5：对所述黑色矩阵层和彩色滤光层进行盖板封装，以获得高分辨率Micro-OLED。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S1具体包括如下步骤：S11：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备若干规则排列的过孔；S12：采用自对准工艺，在所述衬底基板上蒸镀阳极层，所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元；S13：在所述阳极层的表面蒸镀OLED发光层；S14：在所述OLED发光层的表面蒸镀阴极层，以形成所述发光像素层。

作为本发明的进一步改进，所述阳极单元的宽度为5微米。

作为本发明的进一步改进，所述OLED发光层为白光有机电致发光器件。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S4具体包括如下步骤：S41：在所述薄膜封装层上涂覆光刻胶，以形成光刻胶层；S42：将紫外光通过相移掩模版对所述光刻胶层进行照射，以实现对所述光刻胶层曝光；S43：对曝光后的光刻胶层进行显影、刻蚀；S44：除去多余的光刻胶。

作为本发明的进一步改进，所述相移掩模版包括设置有设计图形的金属遮挡层以及用于改变光线相位的相移层。