[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910594266.6 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110752259A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 赵南奎;金锡勋;姜明一;慎居明;李承勋;李正允;崔珉姬;崔正鍲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/167;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的有源鳍；沿第二方向延伸并与有源鳍交叉的栅电极；在栅电极的两个侧壁上的栅极间隔层；以及在栅电极的至少一侧的有源鳍的凹陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括基层，该基层与有源鳍接触并且具有在凹陷区域的内侧壁上在第一方向上彼此相对的内端和外端。源极/漏极区域可以包括基层上的第一层。第一层可以包括浓度高于基层中包括的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。基层的外端可以与第一层接触，并且可以具有在平面上朝向栅电极的外部凸出的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 栅电极 源极/漏极区域 第一层 凹陷区域 方向延伸 基层 外端 半导体器件 栅极间隔层 彼此相对 内侧壁 凸出的 侧壁 衬底 内端 外部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n在所述衬底上的有源鳍，所述有源鳍沿第一方向延伸，所述有源鳍包括凹陷区域；/n在所述衬底上的栅电极，所述栅电极与所述有源鳍交叉，使得所述有源鳍的所述凹陷区域位于所述栅电极的至少一侧，所述栅电极沿第二方向延伸，所述栅电极包括侧壁；/n在所述栅电极的所述侧壁上的栅极间隔层；以及/n在所述有源鳍的所述凹陷区域中的源极/漏极区域，/n所述源极/漏极区域包括与所述有源鳍接触的基层和在所述基层上的第一层，/n所述基层包括在所述第一方向上彼此相对的内端和外端，/n所述基层位于所述凹陷区域的内侧壁上，/n所述第一层包括浓度高于所述基层中的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)，/n所述基层的外端与所述第一层接触，并且/n所述基层的外端具有在平面上朝向所述栅电极的外部向外凸出的形状。/n
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