[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的有源鳍；沿第二方向延伸并与有源鳍交叉的栅电极；在栅电极的两个侧壁上的栅极间隔层；以及在栅电极的至少一侧的有源鳍的凹陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括基层，该基层与有源鳍接触并且具有在凹陷区域的内侧壁上在第一方向上彼此相对的内端和外端。源极/漏极区域可以包括基层上的第一层。第一层可以包括浓度高于基层中包括的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。基层的外端可以与第一层接触，并且可以具有在平面上朝向栅电极的外部凸出的形状。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年7月23日在韩国知识产权局提交的韩国 专利申请No.10-2018-0085563的优先权，其公开内容通过引用整体 并入本文。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件。

背景技术

随着对半导体器件的高性能、高速和/或多功能性的需求增加， 半导体器件的集成度已增加。当制造对应于半导体器件的高集成趋势 的半导体器件时，该半导体器件可包括具有精细宽度或精细分隔距离 的图案。此外，为了调整由于平面金属氧化物半导体FET(MOSFET) 的尺寸减小而导致的操作特性，已经开发了包括具有三维结构的沟道 的FinFET的半导体器件。

发明内容

本发明构思的一个方面是提供一种具有改善的电气特性的半导 体器件。

根据本发明构思的一个方面，一种半导体器件包括：衬底；在 衬底上的有源鳍，所述有源鳍沿第一方向延伸，所述有源鳍包括凹陷 区域；在衬底上的栅电极，所述栅电极与有源鳍交叉，使得有源鳍的 凹陷区域位于栅电极的至少一侧，所述栅电极沿第二方向延伸，所述 栅电极包括侧壁；在所述栅电极的侧壁上的栅极间隔层；以及位于所 述有源鳍的凹陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括与 有源鳍接触的基层和在所述基层上的第一层。基层可以包括在第一方 向上彼此相对的内端和外端。基层可以位于凹陷区域的内侧壁上。第 一层可以包括浓度高于基层中包括的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)，并 且基层的外端可以与第一层接触。基层的外端可以具有在平面上朝向 栅电极的外部向外凸出的形状。

根据本发明构思的一个方面，一种半导体器件包括：衬底；在 衬底上的有源鳍，所述有源鳍在衬底上沿一个方向延伸，所述有源鳍 包括凹陷区域；在衬底上的栅电极，所述栅电极延伸并与有源鳍交叉， 使得有源鳍的凹陷区域位于栅电极的至少一侧；以及位于有源鳍的凹 陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括具有不同浓度的 锗(Ge)的第一层和第二层。第一层的端部可以具有在平面上朝向栅 电极的外部凸出的区域，在所述第一层的端部中，第一层可与位于凹 陷区域的内侧壁上的第二层接触。

根据本发明构思的一个方面，一种半导体器件包括：衬底；在 衬底上的有源鳍，所述有源鳍在衬底上沿一个方向延伸，所述有源鳍 包括凹陷区域；在衬底上的栅电极，所述栅电极延伸并与有源鳍交叉， 使得有源鳍的凹陷区域位于栅电极的至少一侧；以及在有源鳍的凹陷 区域中的外延层。有源鳍的端部和外延层的端部中的至少一个可以具 有在平面上朝向栅电极的外部凸出的区域。有源鳍的端部可以通过栅 电极的至少一侧中的凹陷区域限定。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的 上述和其他方面、特征和其他效果，附图中：

图1是示出根据示例实施例的半导体器件的平面图；

图2A至图2D是示出根据示例实施例的半导体器件的截面图；

图3是示出根据示例实施例的半导体器件的局部放大平面图；

图4A和图4B是示出根据示例实施例的半导体器件的一部分的 截面图；

图5A至图6B是示出根据示例实施例的半导体器件的平面图和 截面图；