[发明专利]一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910588240.0 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110379857B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 方志来;闫春辉;蒋卓汛;吴征远;田朋飞;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/26;H01L29/10;H01L21/34;C23C14/18;C23C14/24;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备方法领域，器件包括：衬底、n型氮化镓沟道层、位于所述n型氮化镓沟道层上或部分嵌入所述n型氮化镓沟道层内的p型氧化镓薄层，源电极、漏电极和栅电极，其中所述p型氧化镓薄层氮掺杂含量为1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 包含 氧化 薄层 开关 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含p型氧化镓薄层的开关器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的n型氮化镓沟道层和绝缘层；位于所述n型氮化镓沟道层上或部分嵌入所述n型氮化镓沟道层内的p型氧化镓薄层；位于n型氮化镓沟道层和p型氧化镓薄层上的绝缘层；位于n型氮化镓沟道层上的漏电极和源电极；位于绝缘介质层上或嵌入绝缘介质层内的栅电极；所述p型氧化镓薄层氮掺杂含量为1×1011～1×1018/cm3。
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