[发明专利]一种生长在Si衬底上的In2Se3二维材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种生长在Si衬底上的In₂Se₃二维材料及其制备方法。所述制备方法包括：采用Si片作为衬底；使用无水乙醇清洗Si片，使外延生长面光滑无尘，风干得到清洗后的Si片；将清洗后的Si片放入CVD设备的玻璃管内，将Se粉、In颗粒放入CVD设备的玻璃管内的相应位置，抽真空处理，通入氩气作为保护气；升温使Se在外延生长面恒温生长，升温使In在外延生长面恒温生长，得到生长在Si衬底上的In₂Se₃二维材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、实施可行性高等的优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度连续可调，并可用于制造光探测器及太阳能电池等应用的In₂Se₃二维材料。

主权项

1.一种生长在Si衬底上的In₂Se₃二维材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）采用Si片作为衬底；使用无水乙醇清洗Si片，使外延生长面光滑无尘，风干得到清洗后的Si片；（2）取两个坩埚，将Se粉加入第一坩埚中，将In颗粒加入第二坩埚中，将第一坩埚放入CVD玻璃管的第一温区中，将第二坩埚放入CVD玻璃管的第三温区中，将步骤（1）所述清洗后的Si片放入CVD玻璃管中，然后对CVD玻璃管抽真空处理；（3）向CVD玻璃管中通入氩气，加热，恒温生长处理，降温至40‑50摄氏度，取出样品，得到所述生长在Si衬底上的In₂Se₃二维材料。