[发明专利]包括磁性压持层的半导体设备在审
申请号: | 201910575682.1 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN112151545A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 刘扬名;叶宁;杨波 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
主分类号: | H01L27/11502 | 分类号: | H01L27/11502;H01L27/11507 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明题为“包括磁性压持层的半导体设备”。本发明公开了一种半导体设备,所述半导体设备包括安装在基板上的一个或多个半导体管芯。每个半导体管芯可在所述半导体管芯的下部失活表面上形成有铁磁层。所述铁磁层在制造期间将所述半导体管芯下拉到彼此和所述基板上,以防止所述管芯翘曲。所述铁磁层还平衡所述管芯层之间的热膨胀系数的不匹配,从而进一步防止所述管芯翘曲。 | ||
搜索关键词: | 包括 磁性 压持层 半导体设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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