[发明专利]包括磁性压持层的半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

基板；和

多个半导体管芯，所述多个半导体管芯堆叠在所述基板上并且彼此阶梯式偏移，每个半导体管芯包括：

一组管芯接合焊盘，所述一组管芯接合焊盘在所述管芯的第一表面上，和

铁磁层，所述铁磁层在所述管芯的第二表面上，所述半导体管芯的所述铁磁层被配置成朝向所述基板牵拉所述多个半导体管芯并平衡所述多个半导体管芯的管芯层中的热膨胀系数的不匹配。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层是连续平坦层。

3.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层被图案化成包括空隙。

4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层的厚度为1μm至2μm。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层包括铁、钢、不锈钢、镍、钴和石墨烯中的一种。

6.根据权利要求1所述的半导体设备，还包括用于将所述多个管芯粘附到彼此和所述基板的多个管芯附接膜层。

7.根据权利要求1所述的半导体设备，其中每个半导体管芯包括集成电路层和介电层，所述集成电路层设置在所述介电层的第一侧上，并且所述铁磁层设置在所述介电层的第二侧上。

8.根据权利要求7所述的半导体设备，其中所述集成电路层和所述铁磁层的热膨胀系数大于所述介电层的热膨胀系数。

9.根据权利要求7所述的半导体设备，其中每个半导体管芯还包括钝化/聚酰亚胺层，所述钝化/聚酰亚胺层设置在所述介电层的所述第一侧上。

10.根据权利要求9所述的半导体设备，其中所述钝化/聚酰亚胺层和所述铁磁层的热膨胀系数大于所述介电层的热膨胀系数。

11.一种半导体设备，包括：

基板；和

多个半导体管芯，所述多个半导体管芯堆叠在所述基板上，每个半导体管芯包括：

集成电路层；

介电层；和

铁磁层，所述集成电路层设置在所述介电层的第一侧上，并且所述铁磁层设置在所述介电层的第二侧上，所述多个半导体管芯偏移地堆叠在所述基板上，使得每个半导体管芯上的管芯接合焊盘组暴露出来，所述半导体管芯的所述铁磁层被配置成朝向所述基板牵拉所述多个半导体管芯并平衡所述集成电路层和所述介电层中的热膨胀系数的不匹配。

12.根据权利要求11所述的半导体设备，其中每个半导体管芯还包括钝化/聚酰亚胺层，所述钝化/聚酰亚胺层设置在所述介电层的所述第一侧上。

13.根据权利要求12所述的半导体设备，其中所述钝化/聚酰亚胺层和所述铁磁层的热膨胀系数大于所述介电层的热膨胀系数。

14.根据权利要求11所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层是连续平坦层。

15.根据权利要求11所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层被图案化成包括空隙。

16.根据权利要求11所述的半导体设备，其中所述多个半导体管芯中的每个管芯的所述铁磁层包括铁、钢、不锈钢、镍、钴和石墨烯中的一种。

17.根据权利要求11所述的半导体设备，还包括用于将所述多个管芯粘附到彼此和所述基板的多个管芯附接膜层。