[发明专利]一种提高电池片效率的扩散工艺

摘要

本发明提供一种提高电池片效率的扩散工艺，消除了磷元素梯度沉积的影响，减少反应前区磷在氧化层中的沉积，使得更多的磷能够被氮气带入到反应后区，同时PN结的物理性质同时受推结时间和推结温度的影响，第三步补源在低温状态进行，避免过多间隙式扩散增加死层。本发明工艺提出了一种用于非SE的太阳能电池片的可规模化，低成本的量产方法。

主权项

1.一种提高电池片效率的扩散工艺，其特征在于，所述扩散工艺包括以下步骤：步骤一，将待扩散的硅片放于扩散炉中进行升温，升温至780℃；步骤二，待温度稳定后，将炉内各温区的温度升至780‑795℃，同时通入400sccm N₂,1200sccm O₂和500sccm用于携带POCl₃的N₂；步骤三，继续将炉内各温区的温度控制在780‑795℃，同时通入650sccm N₂,700sccm O₂和750sccm携带POCl₃的N₂；步骤四，温度稳定后，将炉内各温区的温度升至800‑815℃，同时通入1600sccm N₂,500sccm用于携带POCl₃的N₂；步骤五，继续将炉内各温区的温度控制在800‑815℃，同时通入650sccm N₂,700sccm O₂和750sccm携带POCl₃的N₂；步骤六，将炉内各温区的温度升至820‑835℃，通入1600sccm N₂,500sccm用于携带POCl₃的N₂；步骤七，将炉内各温区的温度升至840‑855℃，通入2100sccm N₂；步骤八，将炉内各温区的温度升至850‑865℃，通入2100sccm N₂；步骤九，将炉内各温区的温度降至810‑825℃，通入600sccm N₂,1000sccm O₂和500sccm用于携带POCl₃的N₂；步骤十，继续将炉内各温区的温度控制在810‑825℃，通入650sccm N₂,800sccm O₂和500sccm携带POCl₃的N₂；步骤十一，继续降温，回压，取出硅片。