[发明专利]一种提高电池片效率的扩散工艺

说明书

本发明提供一种提高电池片效率的扩散工艺，消除了磷元素梯度沉积的影响，减少反应前区磷在氧化层中的沉积，使得更多的磷能够被氮气带入到反应后区，同时PN结的物理性质同时受推结时间和推结温度的影响，第三步补源在低温状态进行，避免过多间隙式扩散增加死层。本发明工艺提出了一种用于非SE的太阳能电池片的可规模化，低成本的量产方法。

技术领域

本发明涉及光伏电池生产技术领域，尤其涉及一种提高电池片效率的扩散工艺。

背景技术

目前市场中的太阳能非SE电池片普遍采用的“两步沉积（通源）+高温推结”工艺，阻值控制在80-90Ω之间。在此基础上，本公司也开展了扩散新工艺模式的研究，研发出“两步沉积+高温推结+一步降温补源”工艺模式，这种技术的设计初衷是减少磷的扩散浓度，以此降低少子复合速率，再采用第三次低温补源构造适当浓掺杂区域，用以降低与金属栅线接触的电阻。而降低了磷掺杂量、加入了第三步低温补源，最直接的影响就是在方阻持平或略高的情况下提高了电池片的开压、电流及效率（0.1%以上）。

发明内容

针对上述技术问题，本发明旨在提出一种新的提高电池片效率的扩散工艺，提高当前生产的太阳能电池片的效率，提高高效档位占比。

本发明提出一种提高电池片效率的扩散工艺，包括以下步骤：

1.将待扩散的硅片放于扩散炉中，升温至780℃；

2.待温度稳定后，将炉内各温区的温度升至780-795℃，同时通入400sccm N₂,1200sccm O₂和500sccm用于携带POCl₃的N₂（暂不通磷源、PC计管路冲洗），时间为300s；

3.继续将炉内各温区的温度控制在780-795℃，同时通入650sccm N₂,700sccm O₂和750sccm携带POCl₃的N₂，时间为300s；

4.温度稳定后，将炉内各温区的温度升至800-815℃，同时通入1600sccm N₂,500sccm用于携带POCl₃的N₂（暂不通磷源），时间为300s；

5.继续将炉内各温区的温度控制在800-815℃，同时通入650sccm N₂,700sccm O₂和750sccm携带POCl₃的N₂，时间为250s；

6.将炉内各温区的温度升至820-835℃，通入1600sccm N₂,500sccm用于携带POCl₃的N₂（暂不通磷源），时间为300s；

7.将炉内各温区的温度升至840-855℃，通入2100sccm N₂,时间为300s；

8.将炉内各温区的温度升至850-865℃，通入2100sccm N₂,时间为300s

9.将炉内各温区的温度降至810-825℃，通入600sccm N₂,1000sccm O_2和500sccm用于携带POCl₃的N₂（暂不通磷源），时间为600s；

10.继续将炉内各温区的温度控制在810-825℃，通入650sccm N₂,800sccm O₂和500sccm携带POCl₃的N₂，时间为360s；

继续降温，回压，取出硅片。