[发明专利]增强半导体蚀刻能力的方法有效
| 申请号： | 201910567610.2 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110265290B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 杨登亮;焦圣杰 | 申请（专利权）人： | 英特尔半导体（大连）有限公司;英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L27/11551;H01L21/3105;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 116000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于增强半导体图案蚀刻能力的方法，包括：在半导体核心结构上沉积掩模层，其中该核心结构包括半导体衬底以及位于该半导体衬底之上的待形成图案的半导体堆叠层，其中所述掩模层沉积在所述堆叠层之上；通过离子注入在所述掩模层内掺杂离子，其中所述离子用于在蚀刻过程中钝化所述掩模层上形成的图案开孔的侧壁以提高垂直方向上的蚀刻选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 半导体 蚀刻 能力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于增强半导体图案蚀刻能力的方法，包括：在半导体核心结构上沉积掩模层，其中该核心结构包括半导体衬底以及位于该半导体衬底之上的待形成图案的半导体堆叠层，其中所述掩模层沉积在所述堆叠层之上；通过离子注入将预定剂量的掺杂离子注入到所述掩模层内预定注入深度处以便钝化在蚀刻过程中在所述掩模层上形成的图案开孔的侧壁并提高垂直方向上的蚀刻选择性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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