[发明专利]利用气体检测半导体碳化硅衬底大尺寸微管的方法及装置在审
| 申请号： | 201910565916.4 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110361143A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张红岩;李斌;姜岩鹏;张维刚;宋建;王雅儒;刘圆圆 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G01M3/20 | 分类号： | G01M3/20;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 韩玉昆 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了利用气体检测半导体碳化硅衬底大尺寸微管的方法及装置。所述方法通过在衬底两个侧面间形成气压差，并检测透过衬底的检测用气体的变化来判断衬底中是否存在大尺寸微管，若透过衬底的检测用气体的量持续上升，则判断衬底中存在大尺寸微管，否则无大尺寸微管，所述大尺寸微管的直径下限值为15‑20μm。所述装置包括样品吸附单元、抽真空装置、和连通所述样品吸附单元与所述抽真空装置的真空管道，在所述真空管道上连通特定气体检漏仪；所述样品吸附单元包括真空吸盘，所述真空吸盘的吸附区域设与所述半导体碳化硅衬底边缘匹配的密封圈。本发明能准确预测衬底中是否存在大尺寸微管缺陷，检测效率高，适用于大规模产业化缺陷检测。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 微管 吸附单元 碳化硅 半导体 检测 抽真空装置 气体检测 真空吸盘 连通 密封圈 真空管 气体检漏仪 衬底边缘 缺陷检测 吸附区域 真空管道 产业化 气压差 匹配 侧面 预测 申请 | ||
【主权项】：
1.一种利用气体检测半导体碳化硅衬底大尺寸微管的方法，包括如下步骤：S1、使待测半导体碳化硅衬底的第一侧面的气压小于第二侧面的气压以形成气压差；S2、在所述第二侧面施加检测用气体，检测透过所述半导体碳化硅衬底至所述第一侧面一侧的所述检测用气体的量，若透过所述第一侧面的所述检测用气体的量上升，则判断所述待测半导体碳化硅衬底存在大尺寸微管；若透过所述第一侧面的所述检测用气体的量不变，则判断所述待测半导体碳化硅衬底不存在大尺寸微管；所述大尺寸微管为直径15μm以上的微管，优选为直径18μm以上的微管，更优选为直径20μm以上的微管。
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