[发明专利]一种HJT电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种HJT电池及其制备方法，该电池包括N型硅片，其受光面和背光面上分别设有本征非晶硅层，本征非晶硅层上分别设有P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，P型掺杂非晶硅层上依次设有IMO层和ITO层，N型掺杂非晶硅层上设有ITO导电膜层，ITO层和ITO导电膜层上分别设有金属栅线电极。其制备方法包括：对N型硅片进行制绒清洗，沉积/制备本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、IMO层、ITO层、ITO导电膜层、金属栅线电极。本发明HJT电池具有优异的电学性能，对于提高异质结电池的应用范围具有十分重要的意义，其制备方法具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、生产效率高等优点。

主权项

1.一种HJT电池，其特征在于，包括N型硅片(1)，所述N型硅片(1)的受光面和背光面上分别设有本征非晶硅层(2)，所述N型硅片(1)受光面的本征非晶硅层(2)上设有P型掺杂非晶硅层(3)，所述N型硅片(1)背光面的本征非晶硅层(2)上设有N型掺杂非晶硅层(4)，所述P型掺杂非晶硅层(3)上依次设有IMO层(5)和ITO层(6)，所述N型掺杂非晶硅层(4)上设有ITO导电膜层(7)，所述ITO层(6)和ITO导电膜层(7)上分别设有金属栅线电极(8)。