[发明专利]一种TFT阵列基板、其制备方法及其显示面板有效

专利信息
申请号: 201910534688.4 申请日: 2019-06-20
公开(公告)号: CN110265409B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 陈诚;杨薇薇 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;G09F9/30
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种TFT阵列基板,其定义有显示区、换线区和弯折区,其中所述换线区连接所述显示区和弯折区。其包括衬底功能层和设置于其上的金属层。所述衬底功能层包括衬底层和设置于所述衬底层上的缓冲层、有源层和第一绝缘层,其中所述金属层在所述显示区包括间隔设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。其中所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均采用同样的金属材料构成,其中所述金属材料包括金属铝材料或是铝合金材料。本发明的一个方面是提供一种TFT阵列基板,其上设置的金属层采用电阻低的材料构成从而提升了其电导率,且采用的金属构成材料的耐弯折性能同样良好。
搜索关键词: 一种 tft 阵列 制备 方法 及其 显示 面板
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板;其特征在于,其定义有显示区、换线区和弯折区,其中所述换线区连接所述显示区和弯折区;其包括衬底功能层和设置于其上的金属层,其中所述衬底功能层包括衬底层和设置于所述衬底层上的缓冲层、有源层和第一绝缘层;其中所述金属层在所述显示区包括间隔设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;其中所述第一金属层设置在所述第一绝缘层上,所述第二金属层和第一金属层之间设置有第二绝缘层,而所述第三金属层与所述第二金属层之间设置有层间绝缘层;其中所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均采用同样的金属材料构成,其中所述金属材料包括金属铝材料或铝合金材料。
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