[发明专利]一种TFT阵列基板、其制备方法及其显示面板

说明书

本发明提供了一种TFT阵列基板，其定义有显示区、换线区和弯折区，其中所述换线区连接所述显示区和弯折区。其包括衬底功能层和设置于其上的金属层。所述衬底功能层包括衬底层和设置于所述衬底层上的缓冲层、有源层和第一绝缘层，其中所述金属层在所述显示区包括间隔设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。其中所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均采用同样的金属材料构成，其中所述金属材料包括金属铝材料或是铝合金材料。本发明的一个方面是提供一种TFT阵列基板，其上设置的金属层采用电阻低的材料构成从而提升了其电导率，且采用的金属构成材料的耐弯折性能同样良好。

技术领域

本发明涉及平面显示技术领域，尤其是，其中的一种TFT阵列基板、其制备方法及其显示面板。

背景技术

已知，随着显示技术的不断发展，平面显示装置已逐渐成为市场上的主流显示装置。这其中，主要是液晶平面显示装置(LCD)占据了市场上的大部分份额。

虽然液晶平面显示装置除了具有体积小、重量轻等轻薄的优点外，还具有省电、辐射低，显示柔和不伤眼等等优点。但是，业界并不满足于此，还在不断的研发，以期获得同样轻薄但显示效果却更好的显示面板。

这其中，业界开发出了OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示面板，由于其重量轻、自发光、广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛，逐渐被业界认为是代替液晶显示面板的下一代主流显示面板。

进一步的，OLED显示装置除了上述优点外，还具有一项尤为重要的特性，即可弯折性。这一可弯折特性使得其在便携性上获得了绝对的优势，因此，也就成为业界研究和开发的重点。

就目前而言，业界常见的柔性OLED显示面板的驱动是通过其TFT阵列基板来实现的，而TFT阵列基板上设置的导电金属层一般包括第一金属层(栅极层GE1)、第二金属层(GE2)，这两个金属层采用的材料主要是金属Mo，但根据后续的性能测试，发现该金属Mo材料的电导率相对较低，且耐弯折性能差。

因此，确有必要来开发一种新型的TFT阵列基板，来克服现有技术中的缺陷。

发明内容

本发明的一个方面是提供一种TFT阵列基板，其上设置的金属层采用电阻低的材料构成从而提升了其电导率，且采用的金属构成材料的耐弯折性能同样良好。

本发明采用的技术方案如下：

一种TFT阵列基板，其定义有显示区、换线区和弯折区，其中所述换线区连接所述显示区和弯折区。其包括衬底功能层和设置于其上的金属层。所述衬底功能层包括衬底层和设置于所述衬底层上的缓冲层、有源层和第一绝缘层，其中所述金属层在所述显示区包括间隔设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。其中所述第一金属层设置在所述第一绝缘层上，所述第二金属层和第一金属层之间设置有第二绝缘层，而所述第三金属层与所述第二金属层之间设置有层间绝缘层。其中所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均采用同样的金属材料构成，其中所述金属材料包括金属铝材料或铝合金材料。

进一步的，在不同实施方式中，其中在所述弯折区的所述衬底层上设置有一有机填充层，所述有机填充层上设置有间隔设置的弯折区第三金属层。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述有机填充层和所述衬底层之间还设置有阻隔层。具体的，两者之间的所述阻隔层的厚度可以在100-6000埃，但不限于。

进一步的，在不同实施方式中，其中在所述弯折区的有机填充层内设置有弯折区第一金属层。其中所述弯折区第一金属层优选设置在所述有机填充层的底部，其底表面直接与所述衬底层或是所述阻隔层相接。

进一步的，在不同实施方式中，其中在所述换线区的第一绝缘层上设置有换线区第一金属层，所述换线区第一金属层的一侧端延伸进入所述弯折区的所述有机填充层内。具体的，其可以是向下延伸到所述有机填充层的底部位置处，但不限于。