[发明专利]一种TFT阵列基板、其制备方法及其显示面板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板；其特征在于，其定义有显示区、换线区和弯折区，其中所述换线区连接所述显示区和弯折区；

其包括衬底功能层和设置于其上的金属层，其中所述衬底功能层包括衬底层和设置于所述衬底层上的缓冲层、有源层和第一绝缘层；其中所述金属层在所述显示区包括间隔设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；

其中所述第一金属层设置在所述第一绝缘层上，所述第二金属层和第一金属层之间设置有第二绝缘层，而所述第三金属层与所述第二金属层之间设置有层间绝缘层；

其中所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均采用同样的金属材料构成，其中所述金属材料包括金属铝材料或铝合金材料；

其中在所述弯折区的所述衬底层上设置有一有机填充层，所述有机填充层上设置有间隔设置的第三金属层；在所述弯折区的有机填充层内设置有弯折区第一金属层；在所述换线区的第二绝缘层上还设置有换线区第二金属层，其通过过孔与所述弯折区第一金属层电性连接。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述有机填充层和所述衬底层之间还设置有阻隔层，其中所述阻隔层的厚度在100-6000埃。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中在所述换线区的第一绝缘层上设置有换线区第一金属层，所述换线区第一金属层的一侧端延伸进入所述弯折区的所述有机填充层内。

4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中在所述换线区的层间绝缘层上还设置有换线区第三金属层，其中所述换线区第三金属层通过过孔与所述换线区第一金属层电性连接。

5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中在所述换线区的层间绝缘层上还设置有换线区第三金属层，其中所述换线区第三金属层通过过孔与所述换线区第二金属层电性连接。

6.一种制备根据权利要求1所述TFT阵列基板的制备方法；其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、制作衬底功能层；其为提供一衬底层，其中所述衬底层定义有显示区、换线区和弯折区；在所述衬底层上依次沉积缓冲层、有源层以及第一绝缘层；

步骤S2、制作第一金属层；其为在所述第一绝缘层上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理以在所述显示区形成作为第一栅极金属层的第一金属层图案；

步骤S3、制作第二绝缘层和第二金属层；其为在所述第一金属层上沉积第二绝缘层，在所述第二绝缘层上制作第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理以在所述显示区形成作为第二栅极金属层的第二金属层图案；

步骤S4、制作层间绝缘层；其为在所述第二金属层上沉积层间绝缘层；

步骤S5、制作第三金属层；其为在所述层 间绝缘层上沉积第三金属层，对所述第三金属层进行图案化处理以在所述显示区形成作为源漏极金属层的第三金属层图案。

7.一种显示面板；其特征在于，其包括根据权利要求1所述的TFT阵列基板。