[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法

摘要

一种3D NAND存储器及其形成方法，其中所述3D NAND存储器的形成方法通过在栅极隔槽区中形成至少一个贯穿堆叠结构的伪共源极，后续在伪共源极两侧的栅极隔槽区形成贯穿堆叠结构的栅极隔槽，且所述伪共源极两侧的形成栅极隔槽暴露出伪共源极对应的侧壁，即后续在形成栅极隔槽的过程中以及形成栅极隔槽之后去除牺牲层的过程中以及形成控制栅和阵列共源极的过程中，所述伪共源极能支撑栅极隔槽的两侧侧壁，防止栅极隔槽的两侧侧壁变形或倾斜，从而保证形成的栅极隔槽的特征尺寸的稳定性，提高3D NAND存储器的性能。

主权项

1.一种3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有牺牲层和隔离层交替层叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括若干平行的栅极隔槽区，相邻栅极隔槽区之间为通孔区；在所述栅极隔槽区中形成至少一个垂直贯穿堆叠结构的伪共源极孔；在所述伪共源极孔中填充支撑材料，形成伪共源极；刻蚀所述伪共源极两侧的栅极隔槽区中的堆叠结构，形成贯穿堆叠结构的栅极隔槽，且所述伪共源极两侧的栅极隔槽暴露出伪共源极对应的侧壁；在所述栅极隔槽中形成阵列共源极。