[发明专利]金属膜的形成方法和成膜装置有效
| 申请号： | 201910505326.2 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110616417B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 若林哲;中込素子;山崎英亮 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/14;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属膜的形成方法和成膜装置，能够对基板上形成的金属膜的膜厚的面内分布进行控制。本公开的一个方式的金属膜的形成方法包括以下工序：向用于收容基板的处理容器内供给含有金属原料气体和等离子体激励气体的第一气体以及含有还原气体和等离子体激励气体的第二气体，并通过等离子体CVD法来在所述基板上形成第一金属膜；以及在形成所述第一金属膜的工序之后，向所述处理容器内供给含有所述金属原料气体和所述等离子体激励气体的第三气体以及含有所述还原气体和所述等离子体激励气体的第四气体，并通过等离子体CVD法来在所述第一金属膜上形成第二金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种金属膜的形成方法，包括以下工序：/n向用于收容基板的处理容器内供给第一气体和第二气体，并通过等离子体化学气相沉积法来在所述基板上形成第一金属膜，其中，所述第一气体含有金属原料气体和等离子体激励气体，所述第二气体含有还原气体和等离子体激励气体；以及/n在形成所述第一金属膜的工序之后，向所述处理容器内供给第三气体和第四气体，并通过等离子体化学气相沉积法来在所述第一金属膜上形成第二金属膜，其中，所述第三气体含有所述金属原料气体和所述等离子体激励气体，所述第四气体含有所述还原气体和所述等离子体激励气体。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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