[发明专利]基于铁电晶体管的FeFET-CMOS混合脉冲神经元电路有效
| 申请号： | 201910500408.8 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110309908B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 黄如;陈诚;刘姝涵;黄芊芊 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G06N3/04 | 分类号： | G06N3/04;G06N3/063;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于铁电晶体管的FeFET‑CMOS混合脉冲神经元，属于神经形态计算中脉冲神经元技术领域。该电路包括电容、重置管、放大器、铁电晶体管FeFET；通过增强铁电晶体管FeFET的铁电材料的极化退化特性形成铁电晶体管L‑FeFET，其中，电容用于模拟生物神经元的细胞膜电容；重置管为电容上积累的电荷提供重置通路；放大器起到放大输入端电压变化的作用；铁电晶体L‑FeFET为电容上的电荷提供了一个额外的泄放通路。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，拓展了神经元的仿生SFA功能，有利于脉冲神经网络的硬件大规模集成以及更高级仿生功能的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶体管 fefet cmos 混合 脉冲 神经元 电路 | ||
【主权项】：
1.一种基于铁电晶体管的FeFET‑CMOS混合脉冲神经元，其特征在于，包括电容、重置管、放大器、铁电晶体管FeFET；通过增强铁电晶体管FeFET的铁电材料的极化退化特性形成铁电晶体管L‑FeFET，其中，电容用于模拟生物神经元的细胞膜电容，积累由输入的突触后电流带来的电荷，电容的两端分别连接于放大器的输入端与GND；重置管为电容上积累的电荷提供重置通路；放大器起到放大输入端电压变化的作用；铁电晶体管L‑FeFET为电容上的电荷提供了一个额外的泄放通路，铁电晶体管L‑FeFET的栅端与放大器的输出端相连，铁电晶体管L‑FeFET的漏端与放大器的输入端相连，铁电晶体管L‑FeFET的源端连接于GND。
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