[发明专利]用多阶段核化抑制填充特征在审
| 申请号： | 201910499775.0 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110629187A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王德琪;阿南德·查德拉什卡;拉什纳·胡马雍;米卡尔·达内克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/04;C23C16/06;C23C16/505;C23C16/56;H01L21/285;H01L21/768;H01L27/108;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用多阶段核化抑制填充特征，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，涉及钨核化的抑制。所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。方法包括执行多阶段抑制处理，包括各阶段之间的间隔。在间隔期间，可以使等离子体源功率、衬底偏置功率或处理气体流量中的一种或多种降低或者使其关闭。本文所述方法可用于填充垂直特征，如钨通孔，以及水平特征，如垂直NAND(VNANA)字线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成存储栅极和字线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 核化 选择性抑制 多阶段 可用 字线 等离子体源功率 处理气体流量 远程等离子体 埋入式字线 衬底偏置 垂直集成 垂直特征 存储栅极 间隔期间 水平特征 特征暴露 特征轮廓 由内向外 硅通孔 钨填充 钨通孔 共形 存储 垂直 应用 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：/n提供包括特征的衬底，所述特征具有一个或多个特征开口和特征内部；并且/n执行多阶段抑制处理，所述多阶段抑制处理包括在多阶段和多个间隔中使所述特征暴露于处理气体，连续的阶段被所述多个间隔中的一个隔开，其中处理气体流速在每个间隔开始时降低并在所述间隔结束时增大，并且其中所述抑制处理优先抑制在所述特征开口处的金属的核化。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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