[发明专利]金属-绝缘体-金属电容器结构在审
| 申请号： | 201910481900.5 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110783320A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄致凡;高弘昭;萧远洋;萧琮介;沈香谷;陈蕙祺;陈殿豪;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属‑绝缘体‑金属电容器结构包含半导体基板和位于半导体基板上方的底部导电层，底部导电层相对于半导体基板的顶表面具有倾斜侧壁。金属‑绝缘体‑金属电容器结构还包括位于底部导电层上方的顶部导电层，顶部导电层相对于半导体基板的顶表面具有垂直侧壁。金属‑绝缘体‑金属电容器结构还包括介于底部导电层和顶部导电层之间的绝缘层，绝缘层覆盖底部导电层的倾斜侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 底部导电层 半导体基板 绝缘体 顶部导电层 金属电容器 倾斜侧壁 顶表面 金属 绝缘层 绝缘层覆盖 垂直侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种金属-绝缘体-金属电容器结构，包括：/n一半导体基板；/n一底部导电层，位于该半导体基板上方，其中该底部导电层相对于该半导体基板的一顶表面具有一倾斜侧壁；/n一顶部导电层，位于该底部导电层上方，其中该顶部导电层相对于该半导体基板的该顶表面具有一垂直侧壁；以及/n一绝缘层，介于该底部导电层和该顶部导电层之间，其中该绝缘层覆盖该底部导电层的该倾斜侧壁。/n
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