[发明专利]清洗槽有效
| 申请号： | 201910479258.7 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110137116B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 赵宝君;张伟锋;夏楠君;祝福生;范文斌 | 申请（专利权）人： | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王娜 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种清洗槽，涉及半导体晶圆加工的晶圆清洗技术领域。清洗槽包括槽体和水阻率检测装置；槽体的侧壁上设有出水孔，水阻率检测装置设置在出水孔；槽体的至少其中一侧的侧壁的上沿形成溢流口；水阻率检测装置包括进水口和出水口，水阻率检测装置的进水口与槽体的出水孔连通；水阻率检测装置的出水口低于槽体的溢流口，且水阻率检测装置的出水口高于水阻率检测装置的进水口。解决了现有技术中，水阻率检测装置对清洗槽内的水质的水阻率检测达不到准确度要求的技术问题。本发明的水阻率检测装置的出水口低于槽体的溢流口，能够保证对清洗槽内水质的水阻率的准确检测。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种清洗槽，其特征在于，包括槽体和水阻率检测装置；所述槽体的侧壁上设有出水孔，所述水阻率检测装置设置在所述出水孔；所述槽体的至少其中一侧的侧壁的上沿形成溢流口；所述水阻率检测装置包括进水口和出水口，所述水阻率检测装置的进水口与所述槽体的出水孔连通；所述水阻率检测装置的出水口低于槽体的溢流口，且所述水阻率检测装置的出水口高于所述水阻率检测装置的进水口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所），未经北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910479258.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
