[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201910476359.9 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN112038402A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 林鑫成;陈志谚;黄嘉庆 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包含：衬底、设置于衬底上的栅极结构、位于此栅极结构两侧的源极结构及漏极结构、以及第一介电层。栅极结构包含设置于衬底上的栅极电极以及与此栅极电极电连接并作为栅极场板的栅极金属层。源极结构包含设置于衬底上的源极电极以及与此源极电极电连接并且沿着栅极电极至漏极结构的方向延伸的第一源极金属层。第一介电层设置于栅极金属层上。其中第一源极金属层的电位与栅极金属层的电位不同，并且第一源极金属层至少露出一部分位于栅极金属层正上方的第一介电层。本发明实施例所提供的半导体结构，不仅具有击穿电压与栅极至漏极电容之间的良好平衡，更能有效降低开关损失，进而提升半导体结构的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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