[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一衬底；

一栅极结构，设置于该衬底上，包括：

一栅极电极，设置于该衬底上；以及

一栅极金属层，与该栅极电极电连接并作为一栅极场板；以及

一源极结构及一漏极结构，设置于该衬底上且位于该栅极结构的两侧，其中该源极结构，包括：

一源极电极，设置于该衬底上；

一第一源极金属层，与该源极电极电连接，并且沿着该栅极电极至该漏极结构的方向延伸；以及

一第一介电层，设置于该栅极金属层上；

其中该第一源极金属层的电位与该栅极金属层的电位不同，并且该第一源极金属层至少露出一部分位于该栅极金属层正上方的该第一介电层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一源极金属层完全露出位于该栅极金属层正上方的该第一介电层。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一第二介电层，设置于该第一源极金属层与该第一介电层上。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该源极结构还包括：

一第二源极金属层，与该源极电极电连接且设置于该第二介电层之上，其中该第二源极金属层至少露出一部分位于该栅极金属层正上方的该第二介电层。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该源极结构还包括：

多个源极接触件，其中该源极电极、该第一源极金属层、以及该第二源极金属层藉由所述多个源极接触件相互电连接。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一化合物半导体层设置于该衬底上，其中该化合物半导体层包括：

一缓冲层，设置于该衬底上；

一通道层，设置于该缓冲层上，其中该源极结构及该漏极结构分别藉由该源极电极及一漏极电极与该通道层接触；以及

一阻挡层，设置于该通道层上。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括一掺杂化合物半导体层，该掺杂化合物半导体层位于该栅极电极与该阻挡层之间。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一衬底；

一栅极结构，设置于该衬底上，包括：

一栅极电极，设置于该衬底上；以及

一栅极金属层，与该栅极电极电连接并作为一栅极场板；

一源极结构，设置于该衬底上，包括：

一源极电极，设置于该衬底上；以及

一第一源极金属层，与该源极电极电连接并作为一源极场板，其中该第一源极金属层的电位与该栅极金属层的电位不同，其中在上视图中，该第一源极金属层具有一开口位于该栅极金属层的正上方；以及

一漏极结构，设置于该衬底上。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该开口的宽度沿着该开口的长度方向线性变化。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该开口具有一第一宽度以及一第二宽度，其中该第一宽度小于该栅极金属层的宽度，并且该第一宽度不等于该第二宽度。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，该第二宽度小于该栅极金属层的宽度。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，该第二宽度大于该栅极金属层的宽度。

13.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该开口具有一最小宽度以及一最大宽度，其中该最小宽度与该最大宽度皆大于该栅极金属层的宽度。

14.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该开口为矩形。