[发明专利]一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910458107.3 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110277439A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;袁昊;何艳静;何晓宁;韩超 | 申请（专利权）人： | 陕西半导体先导技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：栅介质层；基区，位于所述栅介质层的两侧；掩蔽层，位于所述栅介质层的下表面；漂移层，位于所述基区和所述掩蔽层的下表面；衬底层，位于所述漂移层的下表面；漏极，位于所述衬底层的表面；多晶硅层，位于所述栅介质层的内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。第一源区，位于所述基区的部分区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面。本发明的这种MOSFET器件，通过槽栅底部的P+型掩蔽层，改变了栅介质层拐角处的电场分布，降低了器件拐角处的电场集中，提高了器件的击穿电压，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅介质层 掩蔽层 上表面 基区 源区 下表面 多晶硅层 衬底层 拐角处 漂移层 碳化硅 倒T形 制备 电场分布 电场集中 击穿电压 内表面 通过槽 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，其特征在于，包括：栅介质层；基区，位于所述栅介质层的两侧；掩蔽层，位于所述栅介质层的下表面；漂移层，位于所述基区和所述掩蔽层的下表面；衬底层，位于所述漂移层的下表面；漏极，位于所述衬底层的表面；多晶硅层，位于所述栅介质层的内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。第一源区，位于所述基区的部分区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面。
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