[发明专利]磁存储器件及制造方法在审
| 申请号： | 201910458011.7 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660904A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | T·拉赫曼;C·J·维甘德;J·S·布罗克曼;D·G·韦莱特;A·K·史密斯;A·史密斯;P·A·金特罗;J·G·阿尔萨特-维纳斯科;O·戈隆茨卡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 存储器件包括在底部电极和顶部电极之间的垂直磁性隧道结(pMTJ)叠层。在实施例中，pMTJ包括固定磁体、固定磁体上方的隧道势垒和隧道势垒上的自由磁体结构。自由磁体结构包括在隧道势垒上的第一自由磁体和在第一自由磁体上方的第二自由磁体，其中，自由磁体的靠近与自由磁体的界面的至少一部分包括过渡金属。在第一和第二自由磁体之间具有过渡金属的自由磁体结构可以有利地提高pMTJ的切换效率，同时保持至少50kT的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 自由磁体 隧道势垒 固定磁体 过渡金属 垂直磁性 存储器件 底部电极 顶部电极 热稳定性 隧道结 叠层 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：/n底部电极；/n顶部电极；以及/n在所述底部电极与所述顶部电极之间的磁隧道结(MTJ)，所述MTJ包括：/n固定磁体；/n自由磁体结构，包括：/n第一自由磁体；以及/n与所述第一自由磁体相邻的第二自由磁体，其中，所述第一自由磁体的靠近与所述第二自由磁体的界面的至少一部分包括过渡金属；以及/n在所述固定磁体和所述自由磁体结构之间的隧道势垒。/n
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