[发明专利]具有分层电极的磁性存储器器件和制造方法在审
| 申请号： | 201910457183.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660900A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | J.布罗克曼;C.普尔斯;S.吴;C.韦甘德;T.拉曼;D.奥埃莱特;A.史密斯;A.史密斯;P.金特罗;J.阿尔扎特-维纳斯科;O.戈隆茨卡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 徐红燕;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了具有分层电极的磁性存储器器件和制造方法。一种存储器器件制造方法，所述存储器器件包括第一电极，所述第一电极具有包括钛和氮的第一导电层，以及在第一导电层上的包括钽和氮的第二导电层。所述存储器器件此外在第一电极上包括磁性隧道结（MTJ）。在一些实施例中，第一导电层的邻近于与第二导电层的界面的至少一部分包括氧。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器器件 第一导电层 第一电极 第二导电层 磁性存储器 磁性隧道结 电极 分层 制造 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种存储器器件，包括：/n第一电极，所述第一电极包括：/n包括钛和氮的第一导电层；以及/n在第一导电层上的第二导电层，其中所述第二导电层包括钽和氮；/n第二电极；以及/n在第一与第二电极之间的磁性隧道结（MTJ），所述MTJ包括：/n固定磁体；/n自由磁体；以及/n在固定与自由磁体之间的隧道势垒。/n
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