[发明专利]具有分层电极的磁性存储器器件和制造方法

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

第一电极，所述第一电极包括：

包括钛和氮的第一导电层；以及

在第一导电层上的第二导电层，其中所述第二导电层包括钽和氮；

第二电极；以及

在第一与第二电极之间的磁性隧道结（MTJ），所述MTJ包括：

固定磁体；

自由磁体；以及

在固定与自由磁体之间的隧道势垒。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中第一导电层的邻近于与第二导电层的界面的至少一部分此外包括氧。

3.根据权利要求1-2中任一权利要求所述的存储器器件，其中第二导电层的邻近于与MTJ层的界面的至少一部分此外包括氧。

4.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的存储器器件，其中第一导电层具有多定向立方晶体晶格纹理和柱状晶粒结构。

5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的存储器器件，其中跨第一导电层的宽度的多个柱状晶粒结构具有大体上共平面的最上表面。

6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的存储器器件，其中第一导电层具有通过第一宽度被分离的第一侧壁和相对的第二侧壁，第二导电层具有通过第二宽度被分离的第三侧壁和相对的第四侧壁，其中第一侧壁横向地超出第三侧壁而延伸，并且第二侧壁横向地超出第四侧壁而延伸。

7.根据权利要求1-6中任一权利要求所述的存储器器件，其中第一导电层具有在10nm与30nm之间的厚度，并且第二导电层具有在1nm与5nm之间的厚度。

8.根据权利要求1-7中任一权利要求所述的存储器器件，其中第二导电层在第一导电层的第一部分上，并且存储器器件此外包括在第一导电层的第二部分上的封装层，其与第二导电层的侧壁相邻并且与MTJ的侧壁相邻。

9.根据权利要求1-8中任一权利要求所述的存储器器件，其中封装层在第二电极上并且在第二电极与MTJ之间的界面之上。

10.根据权利要求1-9中任一权利要求所述的存储器器件，此外包括在第一导电层下方的第三导电层，其中所述第三导电层具有比第一宽度更大的宽度。

11.一种集成电路结构，包括：

第一区，所述第一区包括：

晶体管；

与所述晶体管的端子耦合的第一导电互连；以及

在第一导电互连上方的蚀刻停止层；

与第一区相邻的第二区，所述第二区包括：

第二导电互连；

在第二导电互连上方的蚀刻停止层；

在第二导电互连上、与蚀刻停止层相邻的导电封盖；以及

在所述导电封盖上的第一电极，所述第一电极包括：

包括钛和氮的第一导电层；以及

在第一导电层上的第二导电层，其中所述第二导电层包括钽和氮；

第二电极；以及

在第一与第二电极之间的磁性隧道结（MTJ），所述MTJ包括：

固定磁体；

自由磁体；以及

在固定与自由磁体之间的隧道势垒。

12.根据权利要求11所述的集成电路结构，其中所述蚀刻停止层在第一和第二区之间是连续的。

13.根据权利要求11-12中任一权利要求所述的集成电路结构，此外包括在第一导电互连上的第三导电互连，其中所述第三导电的一部分与蚀刻停止层相邻。

14.根据权利要求11-13中任一权利要求所述的集成电路结构，其中第一导电层具有多定向立方晶体晶格纹理以及柱状晶粒结构，并且其中多个柱状晶粒结构具有大体上共平面的最上表面。