[发明专利]一种TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构

摘要

本申请提供了一种TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构，涉及半导体领域。通过基于一衬底制作图形化TFT器件的功能层与支撑结构，其中，功能层包括牺牲层，支撑结构连接于衬底与功能层，然后去除牺牲层，以通过支撑结构将图形化TFT器件的功能层支撑于衬底上方，最后将图形化TFT器件的功能层转移至一目标基板，以形成TFT阵列。本申请提供的TFT阵列制作方法与待转移TFT器件结构具有能够制备高性能的电子元件及有效提高器件转移的成功率和良率的优点。

主权项

1.一种TFT阵列制作方法，其特征在于，所述TFT阵列制作方法包括：基于一衬底制作图形化TFT器件的功能层与支撑结构，其中，所述功能层包括牺牲层，所述支撑结构连接于所述衬底与所述功能层；去除所述牺牲层，以通过所述支撑结构将所述图形化TFT器件的功能层支撑于所述衬底上方；将所述图形化TFT器件的功能层转移至一目标基板，以形成TFT阵列。