[发明专利]一种单晶金刚石激光打标生长方法有效
| 申请号： | 201910434088.0 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110219044B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 胡付生;王琦;张天翊;张军恒;张军安 | 申请（专利权）人： | 宁波晶钻工业科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/02;C23C16/27;C23C16/02;B23K26/362 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 胡拥军;糜婧 |
| 地址： | 315200 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶金刚石激光打标生长方法，其包括以下步骤：(S1)提供单晶金刚石种晶；(S2)提供激光标记设备，利用激光标记设备在单晶金刚石种晶表面进行标记形成缺陷；(S3)清除进行标记过程中产生的杂质；(S4)将标记后的单晶金刚石种晶放入化学气相沉积生长炉中，通入氢气和甲烷，比例为100:2至100:5，将炉内气压控制在10KPa～15KPa，控制炉内单晶金刚石种晶温度为700℃～800℃，生长时间大于10小时，以使得标记形成的缺陷被覆盖而不被填充，从而实现在单晶金刚石内部形成标记。本发明操作简单，加工速度快，以一种经济有效的方案实现了在金刚石内部进行标记，且做出的标记通过放大镜等放大设备或肉眼即可被观察到。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 激光 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶金刚石激光打标生长方法，其特征在于，包括以下步骤：(S1)提供单晶金刚石种晶；(S2)提供激光标记设备，利用所述激光标记设备在所述单晶金刚石种晶表面进行标记形成缺陷；(S3)清除进行标记过程中产生的杂质；(S4)将标记后的所述单晶金刚石种晶放入化学气相沉积生长炉中，通入氢气和甲烷，比例为100:2至100:5，将炉内气压控制在10KPa～15KPa，控制炉内单晶金刚石种晶温度为700℃～800℃，生长时间大于10小时。
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