[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管和显示装置在审
| 申请号： | 201910431451.3 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110098126A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王帅毅;唐辉;高鹏;曾柯;李向峰 | 申请（专利权）人： | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 文小莉;刘芳 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管和显示装置，该薄膜晶体管的制作方法包括：在衬底上形成栅极层；在栅极层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成有源层；在所述有源层上形成源/漏极层；对形成有源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，等离子体轰击处理时控制气体流量为(4K sccm～70K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(4KW～12KW)、处理时间为(10s～60s)，本发明解决了现有TFT器件中由于IGZO表面在刻蚀过程中表面损伤和粗糙化，导致IGZO表面缺陷增加，从而造成的TFT器件特性负方向严重偏移以及老化等产品信赖性不良问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 源层 等离子体轰击 栅极绝缘层 显示装置 源/漏极 栅极层 制作 控制气体流量 表面缺陷 表面损伤 不良问题 刻蚀过程 粗糙化 信赖性 偏移 衬底 老化 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述方法包括：在衬底上形成栅极层；在所述栅极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有源层；在所述有源层上形成源/漏极层；对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，且等离子体轰击处理时控制气体流量为(4K sccm～70K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(4KW～12KW)、处理时间为(10s～60s)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
