[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述方法包括：

在衬底上形成栅极层；

在所述栅极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成源/漏极层；

对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，且等离子体轰击处理时控制气体流量为(4K sccm～70K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(4KW～12KW)、处理时间为(10s～60s)。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，包括：

采用N₂O、O₂、Ar和N₂中的至少一种气体对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，且控制气体流量为(4K sccm～70K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(4KW～12KW)、处理时间为(10s～60s)。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，包括：

采用N₂O、O₂、Ar和N₂中的其中一种气体对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，且控制气体流量为(30K sccm～70K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(4KW～12KW)、处理时间为(10s～40s)。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，包括：

采用N₂O、O₂、Ar和N₂中的两种气体对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，且控制气体流量(4K sccm～8K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(3KW～9KW)、处理时间为(10s～60s)。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述N₂O、O₂、Ar和N₂中的两种气体的气体流量比例介于1:4～4:1。

6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，包括：

采用N₂O、O₂、Ar和N₂中的三种气体对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，且控制气体流量(4K sccm～8K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(3KW～9KW)、处理时间为(10s～60s)。

7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

所述对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，包括：

采用N₂O、O₂、Ar和N₂的混合气体对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，且控制气体流量(4K sccm～8K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(3KW～9KW)、处理时间为(10s～60s)。

8.根据权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理之后，还包括：

在形成有所述源/漏极层的所述有源层上以及所述源/漏极层的顶面上设置保护层。

9.一种采用上述权利要求1-8任一所述的方法制成的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，至少包括上述权利要求9所述的薄膜晶体管。