[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管和显示装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管和显示装置，该薄膜晶体管的制作方法包括：在衬底上形成栅极层；在栅极层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成有源层；在所述有源层上形成源/漏极层；对形成有源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，等离子体轰击处理时控制气体流量为(4K sccm～70K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(4KW～12KW)、处理时间为(10s～60s)，本发明解决了现有TFT器件中由于IGZO表面在刻蚀过程中表面损伤和粗糙化，导致IGZO表面缺陷增加，从而造成的TFT器件特性负方向严重偏移以及老化等产品信赖性不良问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管和显示装置。

背景技术

液晶显示面板具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，在平板显示领域中占主导地位。液晶显示面板通常包括阵列基板、彩膜基板、及夹设于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。对于传统的垂直配向(Vertical Alignment，简称：VA)型液晶显示面板，其阵列基板上通常设置呈矩阵式排列的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称：TFT)，其中，TFT作为有源阵列液晶显示屏(AMLCD)和有源矩阵有机发光二级管(AMOLED)的像素驱动部件在实现大面积、高清晰度、高帧频显示中起到重要作用。

目前，TFT主要由有源层、绝缘层和金属电极等组成，其中，TFT根据半导体有源层材料的种类主要分为非晶硅(a-Si：H)TFT、低温多晶硅(LTPS)TFT、有机TFT和氧化物TFT，其中，氧化物TFT中的有源层材料可以为IGZO，同时根据有源层之上是否有刻蚀阻挡层可分为刻蚀阻挡层(ESL)结构和背沟道刻蚀(Back Channel–etched，简称：BCE)结构，其中背沟道刻蚀(BCE)结构是指直接在有源层上刻蚀S/D电极形成的TFT器件结构，其中，BCE结构的氧化物铟镓锌(IGZO)TFT制作时，具体工艺步骤为：衬底上形成栅极(Gate)，在栅极上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成有源层(即IGZO)，有源层上经过BCE刻蚀形成S/D极。

然而，上述工艺制得的TFT中，刻蚀过程中，刻蚀液易对IGZO表面造成损坏和表面粗糙度增大，使得IGZO背沟道状况不佳影响更加显著，容易造成在TFT器件进行测试时，容易受到负偏压和光照的影响，特性负方向严重偏移，同时器件容易老化失效，对产品品质造成极大的影响。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管和显示装置，以解决现有TFT器件中由于IGZO表面在刻蚀过程中损坏和粗糙度增大而造成TFT器件特性负方向严重偏移以及易老化的问题。

第一方面，本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：

在衬底上形成栅极层；

在所述栅极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成源/漏极层；

对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，且等离子体轰击处理时控制气体流量为(4K sccm～70K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(4KW～12KW)、处理时间为(10s～60s)。

如上述所述的薄膜晶体管的制作方法，可选的，所述对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，包括：

采用N₂O、O₂、Ar和N₂中的至少一种气体对形成有所述源/漏极层的所述有源层表面进行等离子体轰击处理，控制气体流量为(4K sccm～70K sccm)、压力为(600mottor～1200mottor)、功率(4KW～12KW)、处理时间为(10s～60s)。