[发明专利]一种应用于双光束激光光刻的掩膜版制造方法在审
| 申请号： | 201910413230.3 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110286560A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 甘棕松;刘亚男;骆志军 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 黄君军 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种应用于双光束激光光刻的掩膜版制造方法，步骤包括：于掩膜基板表面依次沉积过渡层、金属层、抗反射层和光刻胶层，形成掩膜叠层；采用由制造光和辅助光组合形成的双光束激光，将光刻图案转印至所述光刻胶层上；对所述光刻胶层进行显影，除去由所述制造光辐照的光刻胶；对所述金属层和所述抗反射层进行腐蚀，并除去剩余光刻胶。本发明通过制造光与辅助光组合形成的双光束激光对掩膜叠层进行光刻，使所制掩膜版突破衍射极限，较单光束制备掩膜版的方案来说，特征尺寸缩小且分辨率提高；同时该方案较电子束制备掩膜版的方案来说，成本更低，效率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 双光束激光 光刻胶层 光刻 制造 抗反射层 辅助光 金属层 叠层 掩膜 制备 电子束 尺寸缩小 光刻图案 掩膜基板 衍射极限 单光束 分辨率 光辐照 光刻胶 过渡层 剩余光 沉积 显影 转印 应用 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种应用于双光束激光光刻的掩膜版制造方法，其特征在于，步骤包括：于掩膜基板表面依次沉积过渡层、金属层、抗反射层和光刻胶层，形成掩膜叠层；采用由制造光和辅助光组合形成的双光束激光，将光刻图案转印至所述光刻胶层上；对所述光刻胶层进行显影，除去由所述制造光辐照的光刻胶；对所述金属层和所述抗反射层进行腐蚀，并除去剩余光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910413230.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：UV掩膜板及其制作方法
- 下一篇：感放射线性组合物、硬化膜及显示元件
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
