[发明专利]一种键合结构及其制造方法在审
申请号: | 201910411972.2 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110137096A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 梁斐;曹静;胡胜 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/78;H01L23/492;H01L23/31 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 党丽;王宝筠 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种键合结构及其制造方法,在晶圆的表面形成有多颗阵列排布的芯片,各芯片包括器件结构、与器件结构电连接的互连结构和与互联结构电连接的第一封装垫层,第一封装垫层设置于芯片的边缘区域,在对多个晶圆进行键合并切割后,得到芯片堆叠,暴露出芯片的边缘区域的第一封装垫层。这样,在封装基板上有电连线和与电连线电连接的第二封装垫层时,芯片堆叠的第一封装垫层可以与封装基板的第二封装垫层电连接,从而通过封装基板对各个芯片堆叠进行封装以及建立电连接,无需在晶圆上形成通孔以实现键合,简化制造工艺,提高芯片可靠性。 | ||
搜索关键词: | 封装 垫层 电连接 封装基板 芯片堆叠 芯片 晶圆 边缘区域 键合结构 器件结构 电连线 简化制造工艺 芯片可靠性 表面形成 互联结构 互连结构 阵列排布 键合并 键合 通孔 切割 制造 暴露 申请 | ||
【主权项】:
1.一种键合结构的制造方法,其特征在于,包括:提供多个晶圆,各所述晶圆具有第一表面和相对的第二表面,且所述第一表面上形成有多颗阵列排布的芯片,各所述芯片包括器件结构、与所述器件结构电连接的互连结构以及与所述互连结构电连接的第一封装垫层,所述第一封装垫层设置于所述芯片的边缘区域;利用键合层将所述多个晶圆依次键合,以形成晶圆堆叠;将所述晶圆堆叠进行切割,以获得芯片堆叠;暴露出各所述芯片的边缘区域中的第一封装垫层;提供封装基板,所述封装基板上设置有电连线,以及与所述电连线电连接的第二封装垫层;将所述芯片堆叠的第一封装垫层电连接至所述封装基板的第二封装垫层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910411972.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种超薄晶圆基体芯片金球倒装焊接的方法
- 下一篇:获得刻蚀深度极限值的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造