[发明专利]顶浮栅范德华异质结器件及其制备方法、光电存储器件在审
| 申请号： | 201910408844.2 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110323223A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 何军;黄文浩;尹蕾 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8239;G11C11/42;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王庆龙;李相雨 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的顶浮栅范德华异质结器件及其制备方法、光电存储器件，包括依次堆叠在二硫化钼底电极器件上的六方氮化硼纳米片和石墨烯纳米片，堆叠后的所述二硫化钼底电极器件、所述六方氮化硼纳米片和所述石墨烯纳米片在垂直方向上有完全重叠的区域。大幅度提高了器件的性能，应用到非易失性多比特光电存储器件具有大存储窗口，高开关比，低暗电流，快速光响应，极好的稳定性以及多比特存储性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光电存储器件 石墨烯纳米片 六方氮化硼 异质结器件 二硫化钼 底电极 纳米片 堆叠 浮栅 制备 多比特存储 存储窗口 非易失性 暗电流 光响应 开关比 应用 | ||
【主权项】：
1.顶浮栅范德华异质结器件，其特征在于，包括依次堆叠在二硫化钼底电极器件上的六方氮化硼纳米片和石墨烯纳米片，堆叠后的所述二硫化钼底电极器件、所述六方氮化硼纳米片和所述石墨烯纳米片在垂直方向上有完全重叠的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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