[发明专利]顶浮栅范德华异质结器件及其制备方法、光电存储器件

权利要求书

1.顶浮栅范德华异质结器件，其特征在于，包括依次堆叠在二硫化钼底电极器件上的六方氮化硼纳米片和石墨烯纳米片，堆叠后的所述二硫化钼底电极器件、所述六方氮化硼纳米片和所述石墨烯纳米片在垂直方向上有完全重叠的区域。

2.根据权利要求1所述的顶浮栅范德华异质结器件，其特征在于，所述二硫化钼底电极器件包括多层二硫化钼纳米片，以及衬底和金属电极，多层所述二硫化钼纳米片置于所述衬底的一侧，所述金属电极蒸镀在所述二硫化钼纳米片上；所述二硫化钼纳米片、所述六方氮化硼纳米片和所述石墨烯纳米片在垂直方向上有完全重叠的区域。

3.根据权利要求2所述的顶浮栅范德华异质结器件，其特征在于，所述金属电极的材质为金、银、钛、铬、钯和铂中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的顶浮栅范德华异质结器件，其特征在于，所述金属电极为铬金复合层，下层为铬，厚度为5～15nm，上层为金，厚度为10～40nm。

5.根据权利要求2所述的顶浮栅范德华异质结器件，其特征在于，所述衬底为Si/SiO₂衬底，所述衬底厚度为200～400nm，所述六方氮化硼纳米片厚度为5～20nm，所述石墨烯纳米片包括多片，且多片所述石墨烯纳米片置于200～400nm厚的支撑薄膜上。

6.顶浮栅范德华异质结器件制作方法，其特征在于，包括：

将六方氮化硼纳米片和石墨烯纳米片放在支撑薄膜上，并在光学显微镜下，将所述六方氮化硼纳米片和所述石墨烯纳米片依次置于蒸镀好金属电极的二硫化钼底电极器件上，所述二硫化钼底电极器件包括多层二硫化钼纳米片；溶解去除所述支撑薄膜，得到石墨烯/六方氮化硼/二硫化钼异质结器件；所述二硫化钼纳米片、所述六方氮化硼纳米片和所述石墨烯纳米片在垂直方向上有完全重叠的区域。

7.根据权利要求6所述的顶浮栅范德华异质结器件制作方法，其特征在于，将六方氮化硼纳米片和石墨烯纳米片放在支撑薄膜上前，还包括：

通过胶带机械剥离块体材料的方法制得所述六方氮化硼纳米片和所述二硫化钼纳米片。

8.根据权利要求6所述的顶浮栅范德华异质结器件制作方法，其特征在于，所述金属电极通过电子束曝光和金属沉积方法制得，所述金属电极为铬金复合层，下层为铬，厚度为5～15nm，上层为金，厚度为10～40nm。

9.一种非易失性多比特光电存储器件，其特征在于，包括如权利要求1至5任一所述的顶浮栅范德华异质结器件，其中，导电沟道为二硫化钼横向沟道，衬底为背栅极，所述衬底为Si/SiO₂衬底。