[发明专利]一种高功率半导体芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910395812.3 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110112650B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 谭少阳;王俊;徐红;闵大勇 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司;苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 215011 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高功率半导体芯片及其制备方法，该半导体芯片包括：自下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、侧向光栅层、上限制层、接触层、电流隔离介质层以及金属层；其中，侧向光栅层包括多组侧向光栅，多组侧向光栅沿第一方向依次设置，多组侧向光栅的周期各不相同，每组侧向光栅包括多条光栅，多条光栅沿第二方向排布，第一方向与第二方向相交。通过在波导内设置侧向光栅层，提高了高阶光侧向模式在波导内的传播损耗，达到了抑制高阶光侧向模式激射的目的；设置多组周期不同的光栅，抑制了由于单一光栅增益调制和折射率调制引起的强度振荡光模式的激射，达到抑制侧向光强度周期振荡的作用，消除远场双峰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高功率半导体芯片，其特征在于，包括：自下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、侧向光栅层、上限制层、接触层、电流隔离介质层以及金属层；其中，所述侧向光栅层包括多组侧向光栅，所述多组侧向光栅沿第一方向依次设置，所述多组侧向光栅的周期各不相同，每组侧向光栅包括多条光栅，所述多条光栅沿第二方向排布，所述第一方向与第二方向相交。
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