[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910389875.8 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110838526A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔;张世杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种制造半导体装置的方法，即用于形成多层结构的方法，其中多层结构包括介于不同半导体材料的交替层之间的高度控制的扩散界面。根据本公开实施例，在沉积半导体薄层期间，工艺被控制以维持在低温状态，使得彼此间扩散速率得以被管理，以提供具有陡峭的硅/硅锗界面的扩散界面。高度控制的扩散界面及第一与第二薄层为多层结构提供改进的蚀刻选择性。在一个实施例中，具有水平纳米线(NWs)的栅极全环(GAA)晶体管形成自具有改进的蚀刻选择性的多层结构。在一个实施例中，所形成的GAA晶体管的水平NWs可具有基本上相同的直径，而所形成的硅锗(SiGe)NWs可具有“一体成型”的硅(Si)覆帽。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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