[发明专利]氧化物薄膜晶体管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910381390.4 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110112074A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 余明爵 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本揭示提供一种氧化物薄膜晶体管器件及其制造方法,所述氧化物薄膜晶体管器件的制造方法包括在基板上沉积缓冲层,在所述缓冲层上方沉积由宽能隙氧化物半导体构成的第一沟道层,在所述第一沟道层上方沉积由高迁移率氧化物半导体构成的第二沟道层,其可提升器件电子迁移率,并改善器件可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物薄膜晶体管 沟道层 沉积 氧化物半导体 缓冲层 制造 电子迁移率 高迁移率 提升器件 可靠度 宽能隙 基板 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜晶体管器件的制造方法,其特征在于,包括:在基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上方沉积由宽能隙氧化物半导体构成的第一沟道层；在所述第一沟道层上方沉积由高迁移率氧化物半导体构成的第二沟道层；在所述第二沟道层上方沉积闸极介电质层；在所述闸极介电质层上方沉积闸极金属层以定义氧化物薄膜晶体管器件的闸极区域；在所述缓冲层、所述第一沟道层、所述第二沟道层、所述闸极介电质层、以及所述闸极金属层上方沉积介电质层；在所述介电质层形成连通所述第二沟道层的源极通道及汲极通道；以及在所述介电质层上方沉积源极金属层与汲极金属层,以定义所述氧化物薄膜晶体管器件的源极区域与汲极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
