[发明专利]具有新型量子垒结构的紫外LED外延结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有新型量子垒结构的紫外LED外延结构及其制备方法，所述紫外LED外延片由底向上依次包括：衬底、缓冲层、N型铝镓氮层、发光层、电子阻挡层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层，发光层的每个量子垒由底向上依次包括AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN层和AlzGa1‑zN层；所述发光层中由底向上除第一个和最后一个量子垒外，其余所有的量子垒的AlyGa1‑yN层中铝分子含量y为固定值,AlxGa1‑xN层中铝分子含量x由初始值b逐渐增加到y；AlzGa1‑zN层中铝分子含量z由初始值y逐渐减小到b。本发明提供的外延结构能够有效的减缓多量子阱内的量子限制斯塔克效应以及发光层与电子阻挡层之间的极化效应，从而提高电子与空穴的辐射复合效率和减少了电子泄露，最终提高了紫外LED的内量子效率。

主权项

1.一种具有新型量子垒结构的紫外LED外延结构，所述紫外LED外延片由底向上依次包括：衬底、缓冲层、N型铝镓氮层、发光层、电子阻挡层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层，其特征在于：所述发光层中包括至少3个周期的量子垒层和量子阱层，所述每个量子垒由底向上依次包括Al_xGa_1‑xN层、Al_yGa_1‑yN层和Al_zGa_1‑zN层；所述发光层中由底向上除第一个和最后一个量子垒外，其余所有的量子垒的Al_yGa_1‑yN层中铝分子含量y为固定值,Al_xGa_1‑xN层中铝分子含量x由初始值b逐渐增加到y；Al_zGa_1‑zN层中铝分子含量z由初始值y逐渐减小到b。