[发明专利]具有新型量子垒结构的紫外LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910368799.2 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110098294B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 郑悠;李光 | 申请（专利权）人： | 深圳市洲明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳协成知识产权代理事务所(普通合伙) 44458 | 代理人： | 章小燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 新型 量子 结构 紫外 led 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有新型量子垒层结构的紫外LED外延结构，所述紫外LED 外延结构由底向上依次包括：衬底、缓冲层、N 型铝镓氮层、发光层、电子阻挡层、P 型铝镓氮层和P 型氮化镓层；其中，所述N 型铝镓氮层为AlaGa1-aN，铝组分a的取值范围为0a1；所述电子阻挡层为AlnGa1-nN,铝组分n 的取值范围为yn1；其特征在于：
所述发光层中包括至少3个周期的量子垒层和量子阱层，其中，所述量子阱层为AlbGa1-bN，铝组分b 的取值范围为0≤by；每个所述量子垒层由底向上依次包括AlxGa1-xN层、AlyGa1-yN层和AlzGa1-zN层；所述发光层中由底向上第一个量子垒层的AlxGa1-xN层、AlyGa1-yN层和AlzGa1-zN层的铝分子含量为：x=y=a为固定值,z为变化值且由初始值y线性减小到b；由底向上最后一个量子垒层中的AlyGa1-yN层的铝分子含量y为固定值, AlxGa1-xN层中铝分子含量x由初始值b线性增加到y；AlzGa1-zN层铝分子含量z由初始值y线性增加到n，其余所有的量子垒层的AlyGa1-yN层中铝分子含量y为固定值，AlxGa1-xN层中铝分子含量x由初始值b逐渐增加到y；AlzGa1-zN层中铝分子含量z由初始值y逐渐减小到b。
2.根据权利要求1所述的具有新型量子垒层结构的紫外LED外延结构，其特征在于：所述AlyGa1-yN层铝组分y为固定值且0y1。
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