[发明专利]像素电极结构及像素电极结构制作方法有效

专利信息
申请号: 201910358616.9 申请日: 2019-04-30
公开(公告)号: CN110071159B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 史婷 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种像素电极结构包括像素反射电极、像素定义层、空穴注入层、空穴传输层、发光层以及半透明层。所述像素反射电极包括红像素反射电极、绿像素反射电极及蓝像素反射电极。所述像素定义层设置于所述像素反射电极之间。所述空穴注入层设置于所述像素反射电极上。所述空穴传输层设置于所述空穴注入层上。所述发光层设置于所述空穴传输层上。所述半透明层设置于所述发光层上。其中所述红像素反射电极与绿像素反射电极的间距小于绿像素反射电极与蓝像素反射电极之间的间距。通过本发明的所述的像素电极结构可以利用喷墨打印制作高分辨率的像素电极结构。
搜索关键词: 像素 电极 结构 制作方法
【主权项】:
1.一种像素电极结构,其特征在于,包括:多个像素反射电极,包括红像素反射电极、绿像素反射电极及蓝像素反射电极;多个像素定义层,设置于所述像素反射电极之间;空穴注入层,设置于所述像素反射电极上;空穴传输层,设置于所述空穴注入层上;发光层,设置于所述空穴传输层上;以及半透明层,设置于所述像素定义层和所述发光层上;其中所述红像素反射电极与所述绿像素反射电极之间的间距小于所述绿像素反射电极和所述红像素反射电极其中之一与所述蓝像素反射电极之间的间距。
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