[发明专利]一种Sense-Switch型pFLASH阵列结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种Sense‑Switch型pFLASH阵列结构及其制备方法，其包括若干呈阵列分布的pFLASH开关单元，每个pFLASH开关单元包括编程/擦除MOS管T1以及信号传输MOS管T2；有源区隔离体上向外侧延伸的浮栅多晶硅层、ONO介质层以及控制栅多晶层能形成单元体内PIP电容；对同一行的多个pFLASH开关单元，相邻的两pFLASH开关单元间通过开关单元隔离体隔离；开关单元隔离体上向外侧延伸的浮栅多晶硅层、ONO介质层以及控制栅多晶层能形成单元体间PIP电容。本发明结构紧凑，能提升编程和擦除效率，降低编程和擦除电压，增大抗辐射总剂量加固工艺容宽，与现有CMOS工艺兼容，安全可靠。

主权项

1.一种Sense‑Switch型pFLASH阵列结构，包括若干呈阵列分布的pFLASH开关单元，阵列内的pFLASH开关单元均制备于同一衬底(00)内；每个pFLASH开关单元包括编程/擦除MOS管T1以及与所述编程/擦除MOS管T1呈共浮栅、共控制栅连接配合的信号传输MOS管T2；其特征是：衬底(00)内的上部设置N阱(01)，每个pFLASH开关单元内编程/擦除MOS管T1的编程/擦除管有源区(22)、信号传输MOS管T2的信号传输管有源区(11)均位于N阱(01)内，编程/擦除管有源区(22)、信号传输管有源区(11)通过N阱(01)内的有源区隔离体(02A)隔离；在编程/擦除管有源区(22)以及信号传输管有源区(11)上均设置隧道氧化层(03)，在所述隧道氧化层(03)上设有浮栅多晶层(04)，浮栅多晶层(04)覆盖在隧道氧化层(03)以及有源区隔离体(02A)上，在所述浮栅多晶硅层(04)上设有ONO介质层(05)，在所述ONO介质层(05)上设有控制栅多晶层(06)，有源区隔离体(02A)上向外侧延伸的浮栅多晶硅层(04)、ONO介质层(05)以及控制栅多晶层(06)能形成单元体内PIP电容(44)；对同一行的多个pFLASH开关单元，相邻的两pFLASH开关单元间通过开关单元隔离体(02B)隔离；对同一行的pFLASH开关单元，在设置浮栅多晶层(04)后，对浮栅多晶层(04)进行刻蚀，以得到贯通浮栅多晶层(04)的浮栅腐蚀窗口(33)，所述浮栅腐蚀窗口(33)位于开关单元隔离体(02B)的正上方，ONO介质层(05)覆盖在浮栅多晶层(04)上并填充浮栅腐蚀窗口(33)，与浮栅腐蚀窗口(33)对应的控制栅多晶层(06)填充在浮栅腐蚀窗口(33)内并覆盖在ONO介质层(05)上；开关单元隔离体(02B)上向外侧延伸的浮栅多晶硅层(04)、ONO介质层(05)以及控制栅多晶层(06)能形成单元体间PIP电容(45)。