[发明专利]电路、电子器件及其形成方法

摘要

本公开涉及电路、电子器件及其形成方法。一方面，电路可包括第一晶体管，其中发射极耦接到发射极端子，并且基极耦接到基极端子；第二晶体管，其中集电极耦接到衬底端子，并且基极耦接到第一晶体管的集电极；以及部件，部件具有整流结，其中第一端子耦接到第一晶体管的集电极，并且第二端子耦接到电路的集电极端子。在另一方面，电子器件可包括衬底，衬底具有第一半导体区域；第二半导体区域；以及第三半导体区域；第一沟槽隔离结构，第一沟槽隔离结构从主表面延伸穿过第三半导体区域并且终止在第二半导体区域内；以及发射极区域，其耦接到电子器件的发射极端子。电路和电子器件可允许高电压双极结型晶体管具有良好的β并且形成在相对小的区域中。

主权项

1.一种电路，包括：发射极端子、第一基极端子、集电极端子以及衬底端子；第一晶体管，所述第一晶体管包括发射极、基极和集电极，其中所述第一晶体管的所述发射极耦接到所述发射极端子，并且所述第一晶体管的所述基极耦接到所述第一基极端子；第二晶体管，所述第二晶体管包括发射极、基极和集电极，其中所述第二晶体管的所述集电极耦接到所述衬底端子，并且所述基极耦接到所述第一晶体管的所述集电极；以及部件，所述部件具有整流结、第一端子和第二端子，其中所述第一端子耦接到所述第一晶体管的所述集电极，并且所述第二端子耦接到所述电路的所述集电极端子。