[发明专利]一种耐高压的HEMT器件及制备方法在审
| 申请号： | 201910340032.9 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110085662A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 钟敏;程海英;刘煦冉;宋东波;钟晓伟;张晓洪;史田超;史文华;袁松;章学磊 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 钟雪 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种耐高压的HEMT器件及制备方法，HEMT器件从下至上依次包括：衬底；缓冲层；沟道层；势垒层，势垒层与沟道层形成异质结，且势垒层的禁带宽度大于沟道层的禁带宽度；源极、栅极及漏极，在栅极和漏极之间的势垒层内形成至少一个氟离子注入区，通过氟离子的强负电性调制沟道2DEG，使得2DEG的浓度分布从沿栅极到漏极的方向逐渐减小。通过氟离子注入方式来调节2DEG的浓度，可以有效的缓解HEMT器件在高源漏电压工作状态下的电场集中效应，与场板技术相比，避免了栅源寄生电容和寄生电阻的引入，且工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 氟离子 沟道层 漏极 耐高压 禁带 制备 半导体器件技术 电场集中效应 场板技术 寄生电容 寄生电阻 浓度分布 源漏电压 逐渐减小 负电性 缓冲层 异质结 注入区 衬底 沟道 源极 栅源 调制 引入 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种耐高压的HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件从下至上依次包括：衬底；缓冲层；沟道层，所述沟道层材料为GaN晶体或InGaN晶体；势垒层，势垒层与沟道层形成异质结，且势垒层的禁带宽度大于沟道层的禁带宽度，所述势垒层材料为InmAlnGa(1‑m‑n)N晶体，且Al组分的摩尔含量0.80≥n≥0.15，In组分的摩尔含量0.45≥m≥0，所述势垒层厚度不低于20nm；源极、栅极及漏极，在栅极和漏极之间的势垒层上形成至少一个氟离子注入区，使得2DEG的浓度分布从沿栅极到漏极的方向逐渐减小。
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