[发明专利]一种芯片互连结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910331322.7 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110071050B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘旭;叶怀宇;张卫红;敖日格力;李俊;韩飞;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/492;B22F1/00;B22F3/11;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种芯片互连结构及其制备方法，结构包括：芯片，N个纳米金属膜小片，N≥2，基板，所述纳米金属膜小片包括第一尺寸纳米金属颗及第二尺寸纳米金属颗粒，所述第一尺寸纳米金属颗粒与所述第二尺寸纳米金属颗粒直径不同。解决了原有金属烧结膜高孔隙率、低热导率、芯片倾斜的问题，有利于烧结后致密性的提高，提升了互连层的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片互连结构，其特征在于，包括：芯片，N个纳米金属膜小片，N≥2，基板，所述纳米金属膜小片包括第一尺寸纳米金属颗及第二尺寸纳米金属颗粒，所述第一尺寸纳米金属颗粒与所述第二尺寸纳米金属颗粒直径不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
