[发明专利]一种芯片互连结构及其制备方法

权利要求书

1.一种芯片互连结构，其特征在于，包括：

芯片，

N个纳米金属膜小片，N≥2，

基板，

所述纳米金属膜小片包括第一尺寸纳米金属颗及第二尺寸纳米金属颗粒，

所述第一尺寸纳米金属颗粒与所述第二尺寸纳米金属颗粒直径不同；所述纳米金属膜小片位于芯片和基板之间，纳米金属膜小片之间间隔排列；芯片和基板之间排列有多层纳米金属膜小片；所述多层纳米金属膜小片中的每一层由多个离散纳米金属膜小片间隔排布形成，多层纳米金属小片包括有机介质材料层。

2.如权利要求1所述的芯片互连结构，其特征在于，所述纳米金属颗粒材料为铜。

3.如权利要求1所述芯片互连结构，其特征在于，所述纳米金属颗粒材料为金、钯、银、铜、铝、银钯合金、金钯合金、铜银合金、铜银镍合金或铜铝合金。

4.如权利要求1所述芯片互连结构，其特征在于，所述第一尺寸纳米金属颗粒与所述第二尺寸纳米金属颗粒中，较大尺寸的纳米金属颗粒直径为1nmD10μm；所述第一尺寸纳米金属颗粒与所述第二尺寸纳米金属颗粒中，较小尺寸的纳米金属颗粒直径为0.5nmd20nm。

5.如权利要求1所述芯片互连结构，其特征在于，所述纳米金属膜小片包括：

第一有机介质材料层，

第二有机介质材料层；

所述第一有机介质材料层中包含第一尺寸纳米金属颗粒，

所述第一有机介质材料层中包含第二尺寸纳米金属颗粒；

所述第一尺寸纳米金属颗粒与第二尺寸纳米金属颗粒直径不同。

6.如权利要求1所述芯片互连结构，其特征在于，所述的纳米金属膜小片分布方式为：

第一金属膜层，所述第一金属膜层包括长A₃₁个，宽B₃₁个排列的纳米金属膜小片，N₁＝A₃₁*B₃₁；

第二金属膜层，所述第二金属膜层包括长A₃₂个，宽B₃₂个排列的纳米金属膜小片，N₂＝A₃₂*B₃₂；

……

第n金属膜层，所述第n金属膜层包括长A_3n个，宽B_3n个排列的纳米金属膜小片，N_n＝A_3n*B_3n；

N＝N₁+N₂+…+N_n。

7.一种芯片互连结构连接方法，其特征在于，包括：

步骤1：制备纳米金属膜，所述纳米金属膜包括第一尺寸纳米金属颗及第二尺寸纳米金属颗粒，所述第一尺寸纳米金属颗粒与所述第二尺寸纳米金属颗粒直径不同；

步骤2：切割所述纳米金属膜，获得N个纳米金属膜小片，N≥2；

步骤3：将所述纳米金属膜小片一面和芯片底部贴合；

步骤4：将基板和纳米金属膜小片的另一面贴合；

步骤5:将芯片和基板互连；

所述纳米金属膜小片位于芯片和基板之间，纳米金属膜小片之间间隔排列；芯片和基板之间排列有多层纳米金属膜小片；所述多层纳米金属膜小片中的每一层由多个离散纳米金属膜小片间隔排布形成，多层纳米金属小片包括有机介质材料层。

8.如权利要求7所述芯片互连结构连接方法，其特征在于，所述纳米金属颗粒材料为铜。

9.如权利要求7所述芯片互连结构连接方法，其特征在于，所述纳米金属颗粒材料为金、钯、银、铜、铝、银钯合金、金钯合金、铜银合金、铜银镍合金或铜铝合金。